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【专题策划之二】菜鸟成长手册2009——内存篇

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    2016-1-7 09:06
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     楼主| 发表于 2009-6-2 11:14:14 | 只看该作者 来自 江苏省徐州市
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     内存储器在PC设备中占有重要的席位,也正是内存储技术的发展才得以让如今的计算机呈现出一番勃勃生机的景象。毫不夸张地说,未来PC发展的重点不是 CPU而是内存。半导体技术的突破已经为CPU发展铺平的道理,随着主频的不断提高,整个系统将对内存性能提出更高的要求。纵观PC技术的发展,每次内存技术的提升都对整体性能产生重大的影响。

      一、内存基础知识解析

      在全面了解内存之前,我们必须对内存的基础知识有充分的认识。通过对内存工作原理、作用以及结构的了解,大家将会更为深刻地明白为何内存如此受到重视。

      1.内存的工作原理

      从一有计算机开始,就有了内存。内存物理实质就是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路,内存只用于暂时存放程序和数据,一旦关闭电源或发生断电,其中的程序和数据就会丢失。我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的“动态”是指当我们将数据写入 DRAM后,经过一段时间数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,由此来保持数据的连续性。

      每一个内存单元通过可以短暂存储电荷的电容组成,数据信息由无数个位(bit)组成,每一个位只有两种状态:0和1,内存将这些位的数据存储在内存单元组成的栅格里。当处理器进行运算时,通过前端总线和内存之间的通道将一些需要信息的存储到内存里的栅格里,当需要调用信息时,再向内存发出请求,这些请求都带有内存地址的信息,以此来定位数据在内存栅格内的位置。


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    2009-4-24 11:23




      内存是PC平台的重要组成部分


      要直观地理解内存的原理的话,我不妨举例来说。当CPU载入一个应用程序,例如文字处理或页面编辑。当你以键盘输入指令开始,CPI诠释指令并命令硬盘将指令或程序载入到内存中,当数据被载入内存之后,CPU便能比从硬盘中存取从而更快速地取得数据。

      2.内存的作用

      从功能上理解,我们可以将内存看作是内存控制器(一般位于北桥芯片中)与CPU之间的桥梁或与仓库。显然,内存的容量决定“仓库”的大小,而内存的速度决定“桥梁”的宽窄,两者缺一不可,这也就是我们常常说道的“内存容量”与“内存速度”。

      当CPU需要内存中的数据时,它会发出一个由内存控制器所执行的要求,内存控制器接著将要求发送至内存,并在接收数据时向CPU报告整个周期(从CPU 到内存控制器,内存再回到CPU)所需的时间会。毫无疑问,缩短整个周期是提高内存速度的关键,而这一周期就是由内存的频率、存取时间、位款来决定。更快速的内存技术对整体性能表现有重大的贡献,但是提高内存速度只是解决方案的一部分,数据在CPU以及内存间传送所花的时间通常比处理器执行功能所花的时间更长,为此缓冲区被广泛应用。其实,所谓的缓冲器就是CPU中的一级缓存与二级缓存,它们是内存这座“大桥梁”与CPU之间的“小桥梁”。

      3.内存带宽的重要性

      通常我们所说的内存速度实际上应该用“内存带宽”来表述才更为确切。当CPU需要内存中的数据时,它会发出一个由内存控制器所执行的要求,内存控制器接著将要求发送至内存,并在接收数据时向CPU报告整个周期(从CPU到内存控制器,内存再回到CPU)所需的时间。毫无疑问,缩短整个周期也是提高内存速度的关键,这就好比在桥梁上工作的警察,其指挥疏通能力也是决定通畅度的因素之一。

      内存带宽为何会如此重要呢?在回答这一问题之前,我们先来简单看一看系统工作的过程。CPU接收到指令后,它会最先向CPU中的一级缓存(L1 Cache)去寻找相关的数据,然一级缓存是与CPU同频运行的,但是由于容量较小,所以不可能每次都命中。这时CPU会继续向下一级的二级缓存(L2 Cache)寻找,同样的道理,当所需要的数据在二级缓存中也没有的话,会继续转向L3 Cache(如果有的话,如Xeon处理器)、内存和硬盘。由于目前系统处理的数据量都是相当巨大的,因此几乎每一步操作都得经过内存,这也是整个系统中工作最为频繁的部件。如此一来,内存的性能就在一定程度上决定了这个系统的表现,这点在多媒体设计软件和3D游戏中表现得更为明显。


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    2009-4-24 11:23




    系统工作过程


      内存带宽的计算方法并不复杂,大家可以遵循如下的计算公式:带宽=总线宽度×总线频率×一个时钟周期内交换的数据包个数。很明显,在这些乘数因子中,每个都会对最终的内存带宽产生极大的影响。然而,如今在频率上已经没有太大文章可作,毕竟这受到制作工艺的限制,不可能在短时间内成倍提高。而总线宽度和数据包个数就大不相同了,简单的改变会令内存带宽突飞猛进。
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    识别内存方法多

    如果前面两期你认真听了老师讲课,如果你羡慕高手们拿着内存就能滔滔不绝地说出内存信息,如果你想把这种“绝技”学到手。今天的课你就别错过,赶快拿起你的内存和老师一起读出内存信息吧!

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    2008-4-14 17:43


      内存标贴标些啥

      如图1,这就是我们在看内存外观时候看到的标贴。标贴上一般会告诉我们产品参数、产品品牌、料号(P/N)、产品编号(S/N)等信息。我们在买内存的时候就可以通过它得到内存基本信息,从而知道这根内存条是不是我们所要购买的。

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    2008-4-14 17:43


      小贴士:P/N与S/N

      P/N又叫料号,像宇瞻、金士顿等这些内存模组厂商在生产内存的时候,如果它们生产内存选用的内存颗粒、PCB(印刷电路板)等原料一致,那么厂商就会为这些内存印上相同的P/N;也就是说,只要两条内存的P/N一致,那么这两条内存出现不兼容问题的几率非常非常低。S/N称为产品编号,因为S/N都是唯一的,所以它对检查内存防伪有帮助。

      RoHS

      欧盟限制在电子电气设备中使用某些有害物质的规定,它对铅、镉、汞等有害物质的含量都有明确的限制。这一指令对环保和可持续发展是有益的。

      标贴表达方式多

      知道了内存标贴涵盖了哪些方面的内容,下面我们就一起来研究标贴上最重要的部分——内存参数。标贴上内存参数表达方式分了好几种,但几种表达方式所指的信息都基本一致,比如容量、带宽、延迟、频率等参数。为了让同学们更好地理解几种表达方式的意思,琪琪老师根据它们的特点为它们取了名,然后给大家分类介绍。

      1.单刀直入法

      如图2,这种标法绝对是豪爽之人喜欢的,前两节课我们讲到的内存代数(DDR2)、内存容量(512MB)、等效频率(800MHz)全部都清楚地标记在了上面。

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    2008-4-14 17:43


      2.位宽延迟法

      首先,大家可以把注意力集中到图3红色方框里的内容上,这是目前金士顿内存比较常见的标注方式,我们可以从“KVR667D2N5/1G”中的“667”、“D2”、“1GB”这几个字样知道这条内存是DDR2 667 1GB的内存。如果同学们觉得这种方法获取内存信息比较困难,大家可以注意一下蓝色方框里“1GB PC2-5300 CL5 240-Pin DIMM”的字样。“1GB”、“CL5”、“240-Pin”分别告诉我们内存容量是1GB、延迟是5、金手指为240Pin(也就是指内存边缘的小金属片两面加起来有240片)。

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    2008-4-14 17:43


      这里我们要重点说一下“PC2-5300”的意思,“PC2-5300”是内存模组厂商比较通用的一种用内存带宽表示内存参数的方法,虽然没有谁制定这种标法的标准,但很多厂商都依循着下面这种方法标示内存信息:PC2表示DDR2的意思,如果是PC则表示DDR,PC后面的数字代表内存是第几代;5300就是指的内存带宽为5.3GB/s,以前琪琪老师教过同学们计算前端总线带宽的公式(带宽=位宽×频率÷8),这个公式对于计算内存带宽同样适用。目前内存位宽为64bit,这样我们就可以通过这个公式计算出频率或者带宽的值。比如PC2-5300内存,它的带宽就为5.3GB/s(5300MB/s,1GB约等于1000MB),5300MB/s=64bit×频率÷8,所以等效频率就等于667MHz,刚好等于我们前面从内存标贴获取的内存频率。

      小贴士:内存与CPU搭配问题

      不少人在选择好一个平台之后,就为选择内存犯了难,不知道怎么搭配内存才能让内存和CPU充分发挥性能。其实内存和CPU如何搭配主要看带宽。我们来看看图4,CPU要和内存交换数据,要通过两个通道,一个是处理器和主板(北桥芯片)的通道,另一个是主板(北桥芯片)和内存的通道,只要两个通道都大于或者等于CPU需要的数据量,那么瓶颈问题就不会出现。比如CPU和北桥芯片的通道带宽为8.5GB/s,那么只要内存带宽等于或者大于这个带宽就可以了。同样通过带宽公式计算,8.5GB/s=64bit×频率÷8,一根等效频率为1066MHz的内存就可以满足了。如果是组成双通道,内存位宽就会由64bit变为128bit,8.5GB/s=128bit×频率÷8,所以两条等效频率为533MHz的内存组成双通道就可以满足CPU带宽的需要。

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      3.内存颗粒法

      对比前面两种标示方法,大家不难发现图5红框中的“512M×16”是与它们不同的。“512M”说明这条内存的内存颗粒是512Mb(注意是b)的规格,也就是每一颗内存颗粒是64MB的容量,“×16”说明这条内存有16颗这样的内存颗粒,64MB×16=1024MB就说明这条内存的总容量为1GB。

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      软件查询信息足

      讲了这么多从标贴获取内存信息的方法,接下来琪琪老师把自己常用的用CPU-Z查询内存信息的方法介绍给大家(下载地址:本站全面禁止外链,如有需求联系0516-88922020!)。

      如图6,这就是CPU-Z的界面,它是一个查看自己电脑基本信息的软件,右下角是软件的版本号,一般来说,版本越新,软件能越能正确识别硬件的信息,特别是新产品。

      内存选项卡

      首先,我们选择内存选项卡查看内存信息(图6),同学们可以看到,在常规项目中,软件清楚标示了内存类型是DDR2,总容量为2GB(2048MB),而且组成了双通道(通道数标示为双)。

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      时序框中的“内存频率”就是我们上期介绍的内存工作频率,这样我们就可以根据上期学到的内存预读取知识,得知这条是DDR2 800的内存。接下来,CAS#延迟时间、RAS#到CAS#延迟等几个参数最重要的就是第一个CL,内存厂商常把它标注在标贴上,比如图3蓝框中的CL5、图5红框中的(5)都是指的CAS#延迟时间。

      小贴士:也有内存厂商喜欢把内存延迟参数全部标注出来,如图7最右边的“4.4.4.12”就是对应的图6中的CL、tRCD、tRP、tRAS四个参数。内存延迟表示的是一段很短的时间,就好像当士兵接到命令开枪到士兵做开枪动作之间的士兵反应的时间。这几个延迟参数表示的是内存几个“动作”的间隔时间或者反应时间,第一个数字最为重要,表示读取命令到第一个输出数据之间的延迟,即CL。这是纵向地址脉冲的反应时间。第二个数字表示从内存行地址到列地址的延迟时间,即tRCD。第三个数字表示内存行地址控制器预充电时间,即tRP,指内存从结束一个行访问到重新开始的间隔时间。第四个数字表示内存行地址控制器激活时间(tRAS)。为了让大家更好的理解,我们打个比方,琪琪老师问同学们在某一期的《电脑报》D19版第三行第四个字是哪个字,同学们收到“指令”就会先找到那一期报纸和D19版,这需要时间;然后,同学们会去找第四列,这也需要时间;接着大家找到第三行,同样要时间,最后找到了这个字。这个找字的过程就和内存的工作原理非常类似,而在找的过程中,每个找的步骤所花的时间就和内存延迟时间所表达的意思差不多。

      SPD选项卡

      SPD选项卡显示的就是SPD(Serial Presence Detect,串行配置侦测,图8)芯片的内存信息(图9)。从图9我们可以知道,这条内存是插在内存插槽1上的、内存是DDR2的、内存容量是1GB(模块大小1024MB)、带宽为6.4GB/s(PC2-6400)、内存模组厂商是宇瞻科技、生产日期为2007年第50周(50/07)。

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      此外我们可以通过对比两条插在不同插槽上的内存的编号和序列号(图9与图10),知道这两条内存的兼容性如何。大家可以看到,这两条插在插槽1和插槽3上的内存颗粒编号和序列号完全相同,这说明此两条内存出现兼容性问题的几率非常低。

      最后就是时序表这一栏,它记载的就是我们刚才介绍的几个延迟参数,当然还有内存电压,需要指出的是这几个频率代表的是内存的工作频率,200MHz、266MHz、400MHz这几个频率同时出现,我们只需要认准数值最大的一个就可以了,说明这条内存等效频率为800MHz。

      总结
     
      今天琪琪老师介绍了两种识别内存信息的方法,标贴法适合同学们在选购时挑内存,软件法适合同学们核实内存信息是否和标贴所示的内容一样。只要同学们灵活运用这两种方法,就不会被JS所欺骗了。
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    菜鸟装机必看专家解析内存基础知识

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      内存作为传统电脑三大配件之一,虽然外表其貌不扬,而且体积小巧轻薄,但作用却非常重要。内存可以说是CPU处理数据的“大仓库”,所有经过CPU处理的指令和数据都要经过内存传递到电脑其他配件上,因此内存做工的好坏,直接影响到系统的稳定性。



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      内存条是由芯片(颗粒)和PCB电路板两大部分构成主体,此外,PCB电路板表面还分布有很多电容、电阻等元气件。目前内存市场上存在着三代不同规格的产品,分别是:DDR、DDR2、DDR3。虽然名称相仿,但他们互相之间并不能兼容使用。


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    2009-4-24 11:27





      DDR内存目前已经被淘汰,但仍有很多老机用户有升级需求。DDR内存外观非常容易辨认,芯片采用TSOP II封装,两测边拥有很多金属引脚。


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      DDR2内存是现今的主流规格,芯片也使用了全新一代FBGA封装工艺,由于传统引脚被焊球所代替,因此从芯片正面是无法看到任何连接线。



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      DDR3内存作为DDR2内存的替代者,已经被整个业界所承认,但目前为止,DDR3内存应用范围非常小,因此短时间内还无法撼动DDR2内存的地位。DDR3内存芯片同样使用了FBGA封装工艺,所以外观上很难同DDR2内存区分开来。

    ●内存芯片

      内存条最重要的部件就是芯片了,它的好坏对整个内存模组的影响几乎是举足轻重的。由于建造内存晶圆厂需要花费数十亿美元巨资,加上生产制程非常精密,所以目前世界上有能力生产内存芯片的厂商非常少,主要有:Hynix(海力士)、Samsung(三星)、Qimonda(奇梦达)、Micron(镁光)、尔必达、力晶、茂德、南亚。

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    2009-4-24 11:30





      在挑选内存芯片时最好优先原厂原字芯片,因为这些产品都经过了晶圆厂最为严格的检测和测试,因此品质最有保障。此外,目前很多模组厂商为了产品形象统一,特别将内存芯片表面的字迹印刷成自己的LOGO,给消费者选购造成了一定的不便。其实,只要是知名模组厂商的产品,用户都可以放心选购,但千万不要贪图便宜而购买杂牌小厂产品。

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    ●PCB电路板

      PCB电路板是承载内存芯片的重要部件,其重要指标就是层数多少及布线工艺。对于主流DDR2内存来说,6层电路板是最基本的配置,很多高规格、高频率产品甚至使用了8层PCB电路板。通常而言,PCB电路板层数越多,其信号抗干扰能力越强,对内存稳定性越有帮助。

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      此外,PCB表面线路布局也很重要,按照国际电气学设计规范要求,PCB表面线路必须使用135度折角处理,而且为了保证引线长度一致,局部应该使用蛇行布线。

    ●金手指做工

      PCB电路板下部为一排镀金触点,学名叫做“金手指”,千万别小看这些金光闪闪的触点,如果其中有一根脱落或者氧化,很可能会造成一些故障隐患。


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    2009-4-24 11:30




      目前金手指制作工艺有两种,一种是电镀金,另一种是化学镀金。电镀金比化学镀金金层更厚,能够提高抗磨损性和防氧化性。

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    2009-4-24 11:30





    ●电容/电阻

      在PCB金手指上方和芯片周围会有一些很小的电子元件,它们就是电容和电阻。一般说,电阻和电容越多对于信号传输的稳定性越好,尤其是位于芯片旁边的效验电容和第一根金手指引脚上的滤波电容。

      编辑总结:本文并没有罗列难以理解的原理图及方程式,而是通过简单的叙述帮助菜鸟用户快速掌握内存的基本知识,希望大家能够学以致用,挑选出适合自己的优秀内存。
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    马扎子
     楼主| 发表于 2009-6-2 11:34:10 | 只看该作者 来自 江苏省徐州市
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    DDR内存格式发展历程(DDR~DDR4)  一、DDR   
       DDR=Double Data Rate双倍速内存。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR,部分初学者也常看到DDR SDRAM,就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系,因此对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。

      SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

      与 SDRAM相比:DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL (Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准 SDRA的两倍。

      从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。

      DDR内存的频率可以用工作频率和等效频率两种方式表示,工作频率是内存颗粒实际的工作频率,但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍。

      二、DDR2
       DDR2发明与发展:
      DDR2/DDR II(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2 内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

      此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的 DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

      DDR2与DDR的区别:

      1、延迟问题:

      在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说,虽然DDR2和 DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说,在同样 100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。

        这样也就出现了另一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

         2、封装和发热量:

         DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。

         DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

         DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。

        DDR2采用的新技术:

        除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。

         1.OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

         2.ODT:ODT 是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

         3.Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。      

          

        三、DDR3

       

        发展

        早在2002年6月28日,JEDEC就宣布开始开发DDR3内存标准,但从目前的情况来看,DDR2才刚开始普及,DDR3标准更是连影也没见到。不过目前已经有众多厂商拿出了自己的DDR3解决方案,纷纷宣布成功开发出了DDR3内存芯片,从中我们仿佛能感觉到DDR3临近的脚步。而从已经有芯片可以生产出来这一点来看,DDR3的标准设计工作也已经接近尾声。

        半导体市场调查机构iSuppli预测DDR3内存将会在2008年替代DDR2成为市场上的主流产品,iSuppli认为在那个时候DDR3的市场份额将达到55%。不过,就具体的设计来看,DDR3与DDR2的基础架构并没有本质的不同。从某种角度讲,DDR3是为了解决DDR2发展所面临的限制而催生的产物。

      

      DDR2与DDR3的区别

      针对Intel新型芯片的一代内存技术(但目前主要用于显卡内存),频率在800M以上,和DDR2相比优势如下:

       (1)功耗和发热量较小:吸取了DDR2的教训,在控制成本的基础上减小了能耗和发热量,使得DDR3更易于被用户和厂家接受。

       (2)工作频率更高:由于能耗降低,DDR3可实现更高的工作频率,在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点,同时还可作为显卡的卖点之一,这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。

       (3)降低显卡整体成本:DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit,搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit,单颗颗粒容量较大,4颗即可构成128MB显存。如此一来,显卡PCB面积可减小,成本得以有效控制,此外,颗粒数减少后,显存功耗也能进一步降低。

      (4)通用性好:相对于DDR变更到DDR2,DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变,搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存,这对厂商降低成本大有好处。

      目前,DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。

      设计规模

       一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计:

      1.8bit预取设计,而DDR2为4bit预取,这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8,DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。
      2.采用点对点的拓朴架构,以减轻地址/命令与控制总线的负担。

      3.采用100nm以下的生产工艺,将工作电压从1.8V降至1.5V,增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。

      4.逻辑Bank数量改变。DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。

      5.封装方式改变。DDR3由于新增了一些功能,所以在引脚方面会有所增加,8bit芯片采用78球FBGA封装,16bit芯片采用96球FBGA封装,而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装,不能含有任何有害物质。

      二、DDR3与DDR2几个主要的不同之处 :

      1.突发长度(Burst Length,BL)

      由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。

      2.寻址时序(Timing)

      就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样,DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2~5之间,而DDR3则在 5~11之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。另外, DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟(CWD),这一参数将根据具体的工作频率而定。

      3.DDR3新增的重置(Reset)功能

      重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能,如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使 DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。

      在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。

      4.DDR3新增ZQ校准功能

      ZQ也是一个新增的脚,在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集,通过片上校准引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后,将用相应的时钟周期(在加电与初始化之后用 512个时钟周期,在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期)对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

       5.参考电压分成两个

       在DDR3系统中,对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号,即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ,这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

      6.点对点连接(Point-to-Point,P2P)

      这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点(P2P)的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点(Point-to- two-Point,P22P)的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面,与DDR2的类别相类似,也有标准DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(笔记本电脑)、FB-DIMM2(服务器)之分,其中第二代FB- DIMM将采用规格更高的AMB2(高级内存缓冲器)。

      面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势,此外,由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能,在功耗方面 DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移动设备的欢迎,就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域,DDR3未来也是一片光明。目前Intel所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake),其将支持DDR3规格,而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

      DDR4

      DDR4内存峰会
           据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会,而这也标志着DDR4标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内上市,而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存,最快也有可能会提前到2010年。

      JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用 Single-endedSignaling( 传统SE信号)信号方式则表示64-bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开此次的DDR4峰会时,DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式,大会同时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。
          
          DDR4规格

      因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为 1.6~3.2Gbps,而基于差分信号技术的DDR4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的,因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。
      根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品,因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品
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    内存引起的常见故障及解决办法  电脑为我们的生活带来了娱乐享受的同时,频频出现的故障也是令我们感到相当头痛的。与其它家用电器不同的电脑故障有软件故障与硬件故障之分,而其中则以软件故障为主。计算机出现故障后,我们首先要排除软件问题,然后再来查找硬件故障。
      内存做为电脑中重要的设备之一,故障的频发率相当的高。大部分的死机、蓝屏、无法启动基本上都是由内存所引起的。因此,我们在检查硬件故障时往往将内存故障放在首要位置优先判断。与主板、显卡等其它配件相比,内存故障检查起来比较简单,一般是利用替换法更换一条内存测试一下即可以准确的进行判断。由于内存故障表现相当直观,在实际操作中我们可以通过电脑许多外在的表现直接判断出故障的出处,以下简单介绍内存故障的几种外在表现及简单的排除方法。

      1、电脑无法正常启动

      故障表现:一台奔腾2.0GB,最近出现无法启动的故障。具体表现为按下机箱电源按扭后报警嗽叭长时间发出短促的“滴滴”报警声,电脑无法启动,机箱电源指示灯亮,硬盘灯不亮。

      故障分析排除:这是典型的内存条故障。故障原因可以有三种:一种是内存彻底烧毁或损坏;二是内存松动;三是诖娴慕鹗种秆趸 斐捎氩宀劢哟ゲ涣肌H绻 乔罢撸荒芨 弧⌒碌哪诖嫣酰罅秸咧灰 孟鹌げ晾椿夭潦云浣鹗种覆课唬ú灰 镁凭 惹逑矗 诖嫣醯慕鹗种覆潦酶删徊⒉褰艉蠹纯?span href="tag.php?name=%BD%E2%BE%F6" class="t_tag">解决。(注:有些时候可能是内存插槽损坏或变形造成的K时?荒诖娌宀奂纯伞#?/FONT>

      2、Windows系统运行极不稳定,经常产生非法错误或死机

      故障表现:一台英特尔赛扬D325处理器的主机,最近老出现非法错误而导致电脑死机,重新启动后不到两个小时即出现同样的错误,重新安装系统后问题仍旧没有解决。此机内存为一条现代512M DDR400兼容条。

      故障分析与排除:此类故障一般是由于内存条的芯片质量不过硬盘造成的。以上排除软件故障后依然经常死机,说明内存条的芯片有着严重的问题,而随着时间的延长,故障发生的频率会越来越高,最后则会导致机器完全不能启动。通过更换了一条金士顿256MB DDR400内存后,故障解决。

      3、windows注册表经常无故损坏,提示要求用户恢复

      故障表现:一台赛扬1.1GB的老机器,搭配现代256MB DDR266兼容条,最近在使用中经常提示windows注册表损坏,要求恢复注册表信息。

      故障表现:这类故障绝对多数是由于内存的质量不佳造成,一般的解决方法是直接更换内存条。这也是内存故障的初期表现,长期下去后内存便会损坏而导致无法启动机器,修复内存的可能性不大,只有直接更换。

      4、windows经常自动进入安全模式

      故障表现:一台采用PIII 800的老机器,搭配了256M SDRAM内存,近期在启动电脑时WIN 98经常进入安全模式。

      故障分析与排除:此类故障一般是由于主板与内存条不兼容或内存条质量不佳引起,这台机器的内存条估计已经出现了故障,只能更换新的内存条了。

      这类故障常见于PC133内存用于某些不支持PC133内存条的主板上,可以尝试在CMOS设置内降低内存读取速度看能否解决问题,如若不行就只有更换内存条了。

      5、第一次启动电脑时很快就死机,再次启动后能够稳定运行

      故障表现:一台64位AMD速龙3000+处理器的新装兼容机,开机后没多长时间便死机,再次启动便能够正常运行,怀疑内存有问题。

      故障分析与排除:此类故障也多发于内存条,打开机箱发现,虽然使用了两条相同型号的内存,但内存条插在DIMM1与DIMM2两个插槽中,并没有打开双通道功能,由于AMD 64位速龙处理器内建了双通道功能,会不会是未启用双通道而造成的呢?于是将一条内存取下换到DIMM3插槽中,打开了内存的双通道功能,开机测试,问题解决。

      另外,由内存引起的电脑经常死机故障一般是由于采用了几种不同型号的内存条,由于各内存条速度不同产生一个时间差从而导致死机。对此可以在CMOS设置内降低内存速度予以解决,否则,唯有使用同型号内存。还有一种可能就是内存条与主板不兼容,此类现象一般少见,另外也有可能是内存条与主板接触不良引起电脑随机性死机。像以上这种故障表现倒是比较少见。

      6、内存加大后系统资源反而降低

      故障表现:一台组装机,最近升级了内存,在实际使用中去发现系统的占用资源反而降低了不少。

      故障分析排除:此类现象一般是由于主板与内存不兼容引起,常见于PC133内存条用于某些不支持PC133内存条的主板上,即使系统重装也不能解决问题。

      7、Windows启动时,在载入高端内存文件himem.sys时系统提示某些地址有问题

      此问题一般是由于内存条的某些芯片损坏造成,解决方法是更换新的内存条。

      8、运行某些软件时经常出现内存不足的提示

      此现象一般是由于系统盘剩余空间不足造成,可以删除一些无用文件,多留一些空间即可,一般保持在300M左右为宜。

      9、从硬盘引导安装windows进行到检测磁盘空间时,系统提示内存不足

      此类故障一般是由于用户在config.sys文件中加入了emm386.exe文件,只要将其屏蔽掉即可解决问题。

      其实,从硬盘以Dos方式引导安装windows的方法比较复杂而且速度慢,其一,必须要在硬盘上安装DOS文件,且还要配置config.sys和autoexec.bat文件,若文件配置不当,还会引发一系例不可预见的故障,对于初学者很不实用。其二windows装入成功后,由于每次启动系统都会调入config.sys与autoexec.bat文件来驱动光驱,使得系统启动时间延长,如若屏蔽掉config.sys与autoexec.bat后,在windows下有时光驱又不能正常工作。

      10、安装windows进行到系统配置时产生一个非法错误

      此类故障一般是由于内存条损坏造成,解决的方法是先看内存有没有松动,内存的金手指有没有被氧化的现象,如果有则重新擦拭干净后装入内存插槽中。如若不行,那就只有更换内存条了。

      11、启动windows时系统多次自动重新启动

      此类故障一般是由于内存条或电源质量有问题造成,当然,系统重新启动还有可能是CPU散热不良或其他人为故障造成,对此可以利用排除法来查找出问题的根源。
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     楼主| 发表于 2009-6-4 09:16:32 | 只看该作者 来自 江苏省徐州市
    OK>顶。
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     楼主| 发表于 2009-6-7 09:42:22 | 只看该作者 来自 江苏省徐州市
    我已经记不过来啦。
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    8
    发表于 2009-6-8 16:15:56 | 只看该作者 来自 广东省深圳市福田区
    学习到不少东西
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    9
     楼主| 发表于 2009-6-13 07:00:25 | 只看该作者 来自 江苏省徐州市
    就是有点多。
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